体硅MEMS加工技术的主要特点是对硅衬底材料的深刻蚀，可得到较大纵向尺寸可动微结构。不太容易与CMOS工艺集成。

典型体硅MEMS器件

压阻式压力传感器、谐振式压力传感器、加速度计、陀螺仪、气体传感器、红外热电堆、热式气体流量传感器、微流体、微镜、喷墨打印头等。

表面硅MEMS加工技术的基本思路是：先在基片上淀积一层称为牺牲层的材料，然后在牺牲层上面淀积一层结 构层并加工成所需图形。在结构加工成型后，通过选择腐蚀的方法将牺牲层腐蚀掉，使结构材料悬空于基片之上，形成各种形状的二维或三维结构。利用表面工艺得到的可动微结构的纵向尺寸较小，但与IC工艺的兼容性更好， 易与电路实现单片集成。

典型表面硅MEMS器件

麦克风、电容式压力传感器、RF开关、FBAR、非制冷红外探测、磁传感器、惯性传感器、电化学反应多孔硅工艺相关MEMS器件，如流量传感器、气体传感器、压阻式压力传感器等。

微加工工艺中有时需要将两块微加工后的基片粘结起来，可以获得复杂的结构，实现更多的功能。将基片结合起来的办法有焊接、融接、压接(固相结合) 、粘接、阳极键合、硅直接键合、扩散键合等方法。

典型键合技术MEMS器件

结合技术广泛应用于MEMS器件的生产过程中，如微腔器件，悬臂梁器件，牺牲层，特殊结构的制作等。

逐次加工是同时加工工艺的补充，常用于模具等复杂形状的加工，其优点是容易制作自由形状，可对非平面加工，缺点是加工时间很长，属单件生产，成本高。

典型逐次加工技术

逐次除去加工:如用于硅片切割的砂轮加工;细微放电加工、激光束加工、离子束加工、STM(扫描隧道显微镜)加工。

逐次附着加工;如利用离子束CVD技术，可使仅被照射部分的材料堆积，形成某种结构。

逐次改质加工:比如可以利用电子束或激光照射的办法使基板表面局部改质的技术， 它

的应用有电子束掩膜制作、非平面光刻、局部掺杂等

逐次结合加工:比如IC引线焊接、局部粘结等。

光刻的本质是把制作在掩膜版上的图形复制到以后要进行刻蚀和离子注入的晶圆上。光刻技术主要应用于半导体器件、光刻版加工、集成电路制造过程中；光刻所需要的三要素为：光刻胶、掩膜版和光刻机。

用物理的、化学的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分材料去除，从而得到和抗蚀剂一致的图形，实现图形转移。刻蚀技术主要应用于半导体器件，集成电路制造，薄膜电路，印刷电路和其他细微图形的加工等。